氮化鎵(GaN)，作為一種具有物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)盡顯，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等熱門領(lǐng)域，發(fā)揮重要的作用。
 

　　面向中高功率市場(chǎng)的氮化鎵半導(dǎo)體IDM
 

　　遠(yuǎn)山半導(dǎo)體是一家第三代半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)企業(yè)，具備完整的“外延材料+芯片制造”自主核心技術(shù)與生產(chǎn)能力。公司以藍(lán)寶石基氮化鎵外延技術(shù)為基礎(chǔ)，結(jié)合PSJ芯片工藝，生產(chǎn)700V、1200V、1700V、3300V等多種規(guī)格的中高功率氮化鎵外延材料與功率器件。其產(chǎn)品具有強(qiáng)大的電流塌陷控制能力，達(dá)到了很高的耐壓等級(jí)，更好地服務(wù)于功率市場(chǎng)，助推GaN市場(chǎng)規(guī)模高速增長。
 

　　攻克多樣技術(shù)難題，鑄就技術(shù)品質(zhì)
 

　　針對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體D-Mode GaN HEMT器件的測(cè)試樣品，廣電計(jì)量完成了一系列靜態(tài)和動(dòng)態(tài)的參數(shù)測(cè)試。測(cè)試結(jié)果顯示，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體DFN封裝形式的Gan HEMT器件通過了1200V高耐壓測(cè)試，并且展現(xiàn)出了極低的界面電容、優(yōu)良的熱阻和極快的開關(guān)速度，同時(shí)克服了氮化鎵器件容易發(fā)生的電流崩塌問題。各項(xiàng)性能指標(biāo)均達(dá)到行業(yè)水平，意味著其產(chǎn)品在性能、質(zhì)量和可靠性方面具備優(yōu)勢(shì)，有更強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
 

　　在靜態(tài)測(cè)試中，測(cè)試樣品處于關(guān)斷狀態(tài)且漏源電壓Vds達(dá)到1200V時(shí)，Idss僅為7.69*10-7A，靜態(tài)電阻Ron=78mΩ；動(dòng)態(tài)測(cè)試的數(shù)據(jù)同樣優(yōu)秀，如下圖所示：
 

圖1 漏源關(guān)斷漏電流曲線圖
 

圖2 寄生電容與VDS電壓關(guān)系曲線
 

　　隨著功率增加熱阻上升是功率器件普遍面臨的問題。從本次瞬態(tài)熱阻測(cè)試(見圖3)可以看出該測(cè)試器件的表現(xiàn)與SiC產(chǎn)品相當(dāng)，充分表明其在高功率工作條件下的熱管理性能出色。
 

圖3 瞬態(tài)熱阻曲線圖
 

圖4開通波形
 

圖5 關(guān)斷波形
 

圖6反向恢復(fù)波形
 

　　廣電計(jì)量針對(duì)GaN HEMT器件的特性，設(shè)計(jì)了適合其器件性能的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。加載測(cè)試條件：VDS=600V  VGS=-6/3V Rg(on)=1Ω  Rg(off)=1Ω  L=100uH。實(shí)際的測(cè)試結(jié)果：器件的開啟延遲 Tdon 為 16.2ns，上升時(shí)間 Tr 為 9.8ns，關(guān)斷延遲為Tdoff為 15.3ns，下降時(shí)間 Tf 為 10.7ns。測(cè)試器件在高電壓大電流下實(shí)現(xiàn)了很高的開關(guān)響應(yīng)速度。
 

　　在動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試中，隨著電壓的上升，未出現(xiàn)快速的電阻升高，表明了本款氮化鎵器件在高壓下未出現(xiàn)電流崩塌現(xiàn)象。
 

　　需予以關(guān)注的是， GaN HEMT的開關(guān)速度明顯快于Si和SiC mosfet，具有非常低的寄生成分。GaN開關(guān)具有非常短的延遲，速度極快，頻率很高，且相較于等效的 Si 和 SiC 晶體管，具有更高的效率。倘若未加以注意，測(cè)試設(shè)備以及測(cè)量技術(shù)所引入的寄生元件，極有可能掩蓋 GaN 器件參數(shù)，進(jìn)而導(dǎo)致錯(cuò)誤的測(cè)量結(jié)果。
 

　　針對(duì)此次動(dòng)態(tài)性能測(cè)試所面臨的挑戰(zhàn)，廣電計(jì)量深入探究氮化鎵開關(guān)性能測(cè)試技術(shù)，對(duì)測(cè)試布局予以優(yōu)化，規(guī)避測(cè)試過程中長環(huán)路的引入，從高低側(cè)電壓測(cè)量以及電流傳感器選取等方面著力，成功攻克了本次測(cè)試的難點(diǎn)。在進(jìn)行開通關(guān)斷能量測(cè)試時(shí)，需對(duì)真假損耗予以區(qū)分。在關(guān)斷階段，當(dāng)柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(VGS (th))時(shí)，氮化鎵處于不導(dǎo)通狀態(tài)，負(fù)載電流(Iload)為 S2 的輸出電容(Coss)充電，由此產(chǎn)生的輸出電容儲(chǔ)能損耗(Eoss)為無功功率，不屬于真實(shí)損耗范疇。所測(cè)量的關(guān)斷能量(Eoff)包含了 Coss 的充電能量損失，而此部分并非關(guān)斷損耗的構(gòu)成部分。
 

圖7 漏電流路徑示意圖
 

　　遠(yuǎn)山半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)負(fù)責(zé)人表示：“與廣電計(jì)量的合作是我們?cè)诘壒β市酒|(zhì)量管控道路上的一次重要突破。在我們的合作的過程中，廣電計(jì)量對(duì)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)格把控和對(duì)細(xì)節(jié)的關(guān)注，讓我們對(duì)芯片的質(zhì)量有了十足的信心。通過他們的檢測(cè)服務(wù)，證明了我們的芯片在電氣參數(shù)穩(wěn)定性和高溫高壓環(huán)境下的可靠性方面都達(dá)到了行業(yè)水平。這不僅提升了我們客戶的滿意度，也為我們公司在市場(chǎng)上樹立了良好的品牌形象。我們衷心希望能與廣電計(jì)量保持長期合作關(guān)系，共同探索更多提升芯片質(zhì)量的方法和途徑，為行業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。”