近年來，國際大廠對SiC器件失效機理進行了深入分析，不斷開發(fā)新試驗用于測試基于SiC功率半導體器件固有的運行模式，同時改進其他硅基半導體功率器件試驗以滿足SiC固有的要求，了解新的潛在失效機制。目前國內(nèi)對于這方面研究還處于起步階段。

     目前，集成電路測試與分析實驗室滿足硅基器件驗證（如AEC-Q101）的市場需求，但隨著第三代半導體廠商的快速成長，逐漸關(guān)注SiC器件潛在失效機制的驗證、失效率及壽命的評估。如模塊車規(guī)驗證標準AQG 324更新了2021版本，增加SiC Mosfet模塊驗證內(nèi)容，但對于動態(tài)應(yīng)力下SiC器件缺陷觸發(fā)實現(xiàn)沒有提及。隨著第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，市場上涌現(xiàn)很多競爭對手，如何保持廣電計量在第三代半導體領(lǐng)域的檢測優(yōu)勢，需要深入研究SiC器件的失效機制，建立SiC器件檢測核心優(yōu)勢，助力國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

     為解決制約第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)瓶頸，實現(xiàn)材料自主可控與產(chǎn)業(yè)化，使產(chǎn)品性能達到國際優(yōu)秀水平，廣電計量集成電路測試與分析研究所對SiC器件進行深入分析，開展了SiC器件的柵極氧化層可靠性及動態(tài)應(yīng)力下缺陷觸發(fā)技術(shù)的研究。經(jīng)技術(shù)攻關(guān)，建立了一套完善準確的檢測方法和SiC mosfet閾值電壓測試系統(tǒng)，實現(xiàn)SiC器件失效率與應(yīng)力壽命的評估及高壓運行與快速開關(guān)相結(jié)合的固有工作模式下缺陷觸發(fā)驗證試 驗，建立了動態(tài)柵偏、動態(tài)反偏、動態(tài)高溫高濕反偏試驗系統(tǒng)（H3TRB）試驗以及柵極氧化層壽命評估試驗能力。

目前，該項技術(shù)已向國家知識產(chǎn)權(quán)局申請發(fā)明專項4項，發(fā)表論文1篇。技術(shù)成果已為國內(nèi)數(shù)十家元器件廠商提供了技術(shù)服務(wù)，贏得了眾多客戶信賴與認可。