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簡(jiǎn)要描述：功率器件失效分析 電力電子器件：功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外較為關(guān)注的，也是特性參數(shù)測(cè)試無(wú)法評(píng)估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計(jì)量擁有業(yè)界的專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客戶提供完整的失效根因分析服務(wù)。
廠商性質(zhì)：工程商更新時(shí)間：2025-12-15訪問(wèn)次數(shù)：2024產(chǎn)品分類
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| 品牌 | 廣電計(jì)量 |
|---|
服務(wù)范圍
功率器件失效分析 電力電子器件：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
l GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)?法和程序
l GJB8897-2017J用電子元器件失效分析要求與?法
l QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求
檢測(cè)項(xiàng)目
| 試驗(yàn)類型 | 試驗(yàn)項(xiàng)? |
| ?損分析 | X 射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡 |
| 電特性/電性定位分析 | 電參數(shù)測(cè)試、IV&CV 曲線量測(cè)、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測(cè)試與三溫(常溫/低溫/高溫) 驗(yàn)證 |
| 破壞性分析 | 開(kāi)封、去層、切片、芯片級(jí)切片、推拉力測(cè)試 |
| 微觀顯微分析 | DB FIB切片截?分析、FESEM 檢查、EDS微區(qū)元素分析、掃描電鏡、透射電鏡 |
相關(guān)資質(zhì)
CNAS
服務(wù)背景
功率器件失效分析 電力電子器件：受益于國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)功率器件廠商迎來(lái)了發(fā)展機(jī)會(huì)。在成長(zhǎng)中廠商迫切希望減少或消除產(chǎn)品失效，并在設(shè)計(jì)、?藝和產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、可靠性測(cè)試、封裝等階段進(jìn)?改進(jìn)，以迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。
我們的優(yōu)勢(shì)
廣電計(jì)量擁有業(yè)界的專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客戶提供完整的失效根因分析服務(wù)，針對(duì)產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)、來(lái)料檢驗(yàn)、加?組裝、測(cè)試篩選、客戶端使用等各個(gè)環(huán)節(jié)，為客戶提供失效分析咨詢、協(xié)助客戶開(kāi)展設(shè)計(jì)規(guī)劃、以及分析測(cè)試服務(wù)。
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